File:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg
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摘要
| 描述 |
English: Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.
Deutsch: Vergleich eines konventionellen Gate-Schichtstapel mit Siliziumdioxid als Dielektrikum mit dem eines in High-k+Metal-Gate-Technik (vereinfachte Darstellung) hergestellten Gate-Schichtstapels. Das Schema wurde in Anlehung einer Präsentation von G. E. Moore, Intel Inc., erstellt |
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- File:High-k.svg licensed with Cc-by-sa-3.0-migrated-with-disclaimers, GFDL-en, GFDL-user-en-note
- 2008-01-14T18:14:30Z Stannered 401x235 (8539 Bytes) {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Sourc
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| 日期/时间 | 缩略图 | 大小 | 用户 | 备注 | |
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| 当前 | 2010年2月20日 (六) 08:52 | | 401 × 235（7 KB） | Cepheiden | svg fix |
| 2010年2月20日 (六) 08:51 |  | 401 × 235（7 KB） | Cepheiden | small fixes | |
| 2010年2月20日 (六) 08:45 |  | 401 × 235（7 KB） | Cepheiden | {{Information |Description={{en|Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.}} {{de|Vergleich eines konventio |
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