File:HEMT-band structure scheme-en.svg

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描述HEMT-band structure scheme-en.svg	English: Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode Deutsch: Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Verlauf unter der Gate-Elektrode
日期	2009年8月26日, 23:35 (UTC)
來源	High_Electron_MobilityTransistor_-_electron_energy_band_structure_(DE).svg
作者	High_Electron_MobilityTransistor_-_electron_energy_band_structure_(DE).svg: Cepheiden derivative work: sfu (talk)

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- 2008-06-17T11:17:31Z Cepheiden 480x370 (29105 Bytes) {{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a high electron mobility transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor

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	2009年8月26日 (三) 23:37	480 × 370（42 KB）	Sfu	{{Information \|Description={{en\|1=Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de\|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility"

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