动态随机存储器价格操纵

动态随机存储器价格操纵是指动态随机存储器(DRAM)制造商透过联合哄抬等方式操纵价格的行为。

2002年至2005年

在2002年,依据《休曼法案》,美国司法部对于动态随机存取存储器(DRAM)制造商的行为展开调查,指控当时DRAM的四大厂:三星电子海力士美光英飞凌,企图联手操控价格,并控告其联合垄断价格的行为。而其中美光从承认犯罪并转为污点证人,透过协商管道并与美国司法部合作,获得免起诉的机会。

美国电脑制造商包括戴尔捷威英语Gateway, Inc.声称DRAM制造商的联合哄抬DRAM价格行为造成利润降低与市场竞争力下滑。迄今,五家制造商对参予一场国际性的价格操纵共谋中承认有罪,包括海力士英飞凌美光三星电子[1]

2003年12月,司法部指控美光的区域销售经理Alfred P. Censullo违反了美国法典18 U.S.C. § 1503。Alfred P. Censullo在2002年6月服务于美光公司时,收到陪审团的传票要求调查文件时,他对于修改文件隐瞒且触犯阻碍调查等罪嫌承认有罪。

在2004年10月20日,英飞凌认罪,因其涉案部分被罚款一亿六千万美金,是美国历史上第三大反托拉斯罚金金额;同时,英飞凌的四名主管被求处4到6个月的徒刑[2],并罚款25万美金。在四人被宣告徒刑之后,美国司法部反托拉斯局英语United States Department of Justice Antitrust Division刑事执法处助理检察总长英语United States Assistant Attorney GeneralScott D. Hammond说:‘这四名主管是第一个针对操纵市场价格承认有罪的案例,对于DRAM产业违反反托拉斯法案中,此案将持续积极的调查。我们将继续追究参予这次价格操纵案中其他国内外的主管。’

海力士很快在2005年4月第三个认罪,后被处罚一亿八千五百万美金罚金。[3]

2005年10月,三星电子因同一个垄断行为被控有罪[4],而他们的三亿美金罚金,是美国历史上到目前为止第二多的反托拉斯法罚金金额[5],并且也有多名主管前往美国入狱服刑。

台湾厂商南亚科技华邦电子当时也受到调查,然而当时市占率相当低,并未受到此案的波及。

2017年至2018年

2018年4月律师事务所 Hagens Berman 指控三星、美光和海力士从 2016 年第一季度到 2017 年第三季度之间通过降低产量和操纵价格使其收入翻了一番多。三星、镁光和海力士控制了全球 96% 的 DRAM 芯片市场。中国在2017年宣布调查内存芯片市场的价格垄断,三家公司的行为突然发生了改变。DRAM 的价格在 2017 年上涨了 47% ,为三十年来最大幅度的上涨。[6][7]

参考资料

参见

外部链接