国际半导体技术发展蓝图

国际半导体技术发展路线图International Technology Roadmap for Semiconductors,缩写为 ITRS),是由世界上五个主要的半导体制造国家的相关协会所资助的组织,这些组织包括台湾韩国日本美国欧洲的半导体行业协会。 许多半导体产业专家组成工作小组每年进行数次讨论,并提出一些报告与文档,以期积体电路与其应用的相关产业能更有成本效益的健全发展。

路线图文件含有免责声明:“ITRS的设计仅用于技术评估,并不考虑与单个产品或设备有关的任何商业应用”。

这些文件代表了以下技术领域对未来约15年的研究方向和时间表的最佳意见:

截至2017年,国际半导体技术发展蓝图(ITRS)不再更新。它的继任者是国际设备和系统路线图英语International Roadmap for Devices and Systems(IRDS),从而全面地反应各种系统级新技术。

Half-shrink
主节点 半节点
250 nm 220 nm
180 nm 150 nm
130 nm 110 nm
90 nm 80 nm
65 nm 55 nm
45 nm 40 nm
32 nm 28 nm
22 nm 20 nm
14 nm 16 nm
10 nm 11 nm

历史

制造积体电路或任何半导体元件都需要一系列操作-光刻蚀刻CVD等。随著行业的发展,每一个步骤通常都是由各个公司制造的专用机器执行的。这种专业化可能使该行业难以发展,因为如果所需的步骤无法在同时完成,则不利于一家公司推出新产品。技术路线图可以通过在需要某种功能时给出一个想法来帮助实现此一目标。然后,每个供应商都可以为他们的难题指定这个日期。 [1][2][3]

随著生产制造工具逐渐外包专用设备供应商,出现了明确的路线图,以预测市场的发展来计划和控制IC生产的技术需求。几年来,半导体工业协会(SIA)英语Semiconductor Industry Association将此协调职责赋予了美国,这导致了美国风格路线图的制定,即国家半导体技术路线图(NTRS)。[4]

另见

外部链接

  1. ^ Gargini, P. The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS): Past, present and future. 22nd Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium. IEEE: 3–5. 2000. doi:10.1109/GAAS.2000.906261. 
  2. ^ Schaller, R.R. Technological innovation in the semiconductor industry: a case study of the international technology roadmap for semiconductors (ITRS) (PDF) (学位论文). George Mason University. 2004 [2020-09-16]. (原始内容存档 (PDF)于2019-07-28). 
  3. ^ Schaller, R. Technological innovation in the semiconductor industry: a case study of the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Management of Engineering and Technology, 2001. PICMET'01. Portland International Conference on 1. IEEE: 195. 2001. doi:10.1109/PICMET.2001.951917.  Article summarizing thesis of the same name.
  4. ^ Spencer, W.J.; Seidel, T.E. National technology roadmaps: the US semiconductor experience. Solid-State and Integrated Circuit Technology, 1995 4th International Conference on. IEEE: 211–220. 1995. doi:10.1109/ICSICT.1995.500069.