氮化鈧

化合物

氮化鈧是一種無機化合物,化學式為ScN,由Sc3+和N3−構成。它可以由-熔體溶解氣來製備[1],並在箔上通過升華凝華來生長單晶。[2]氮化鈧也是二氧化矽(SiO2)或二氧化鉿(HfO2)底物上半導體的有效柵極。[3]

氮化鈧
IUPAC名
Scandium nitride
別名 一氮化鈧
識別
CAS號 25764-12-9
PubChem 117629
ChemSpider 105117
SMILES
 
  • N#[Sc]
性質
化學式 ScN
摩爾質量 58.963 g·mol⁻¹
密度 4.4 g/cm3
熔點 2900 °C(3173 K)
危險性
GHS危險性符號
《全球化學品統一分類和標籤制度》(簡稱「GHS」)中有害物質的標籤圖案
GHS提示詞 Danger
H-術語 H228
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。

參考文獻

  1. ^ Zhang, Guodong; Kawamura, Fumio; Oshima, Yuichi; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi. Synthesis of Scandium Nitride Crystals from Indium–Scandium Melts. Applied Ceramic Technology. 4 August 2016, 13 (6): 1134–1138. doi:10.1111/ijac.12576. 
  2. ^ Gu, Zheng; Edgar, J H; Pomeroy, J; Kuball, M; Coffey, D W. Crystal Grown and Properties of Scandium Nitride. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. August 2004, 15 (8): 555–559. doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c. 
  3. ^ Yang, Hyundoek; Heo, Sungho; Lee, Dongkyu; Choi, Sangmoo; Hwang, Hyunsang. Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO2 and HfO2. Japanese Journal of Applied Physics. 13 January 2006, 45 (2): L83–L85. doi:10.1143/JJAP.45.L83.