赫爾曼·古梅爾
赫爾曼·卡爾·古梅爾（德語：Hermann Karl Gummel，1923年7月5日—2022年9月5日），德國物理學家，主要從事半導體領域研究[1]。
| 赫爾曼·古梅爾 | |
|---|---|
| 出生 | 赫爾曼·古梅爾 1923年7月5日 魏瑪共和國普魯士自由邦漢諾威 |
| 逝世 | 2022年9月5日（99歲） 美國新澤西州 |
| 母校 | 馬爾堡大學 雪城大學 |
| 獎項 | 大衛·沙諾夫獎（1983年） 美國國家工程院院士（1985年） 菲爾·卡夫曼獎 （1994年） |
| 科學生涯 | |
| 研究領域 | 半導體裝置 |
生平
1923年生於普魯士漢諾威，1952年在菲利普斯大學獲得物理學大學文憑。1957年在美國雪城大學獲得半導體物理學博士學位[2]。1956年加入貝爾實驗室[3]。主要從事半導體裝置研究。曾提出數學模型，用來描述雙極性電晶體的具體工作原理，成為集成電路通用模擬程序程序開發的核心[4]。1983年獲得電氣電子工程師學會大衛·沙諾夫獎[5]。1985年當選美國國家工程院院士[6]。1994年，獲得首屆菲爾·卡夫曼獎[7]。2022年9月5日逝世[1]。
主要論文
- Gummel, Hermann; Lax, Melvin. Thermal capture of electrons in silicon. Annals of Physics. 1957, 2 (1): 28–56. Bibcode:1957AnPhy...2...28G. doi:10.1016/0003-4916(57)90034-9.
- Gummel, H. K.; Poon, H. C. An integral charge control model of bipolar transistors. Bell Syst. Tech. J. May 1970, 49 (5): 827–852. doi:10.1002/j.1538-7305.1970.tb01803.x.
- Gummel, H. K.; Chawla, Basant R.; Kozak, Paul. MOTIS-An MOS Timing Simulator. IEEE Transactions on Circuits and Systems. December 1975, CAS–22 (12): 901–910.
參考資料
- ^ 1.0 1.1 Hermann K. Gummel Obituary. IEEE Council on Electronic Design Automation. [2022-09-16]. （原始內容存檔於2022-09-25）.
- ^ Contributors to this issue. Bell System Technical Journal. January 1961: 349 [2022-09-11]. （原始內容存檔於2022-11-01）.
- ^ Birman, Joseph L.; Cummins, Herman Z. Melvin Lax. Biographical Memoirs Vol. 87 (PDF). National Academy of Sciences. 2005: 3–25 [2022-11-01]. （原始內容存檔 (PDF)於2012-10-21）.
- ^ Newton, A. Richard. Presentation of the 1994 Phil Kaufman Award to Dr. Hermann K. Gummel. 1994-11-06. （原始內容存檔於2012-10-15）.
- ^ IEEE David Sarnoff Award Recipients (PDF). IEEE. [2022-08-05]. （原始內容存檔 (PDF)於2012-05-09）.
- ^ Dr. Hermann K. Gummel. National Academy of Engineering. [2022-08-05]. （原始內容存檔於2022-11-01）.
- ^ Hermann K. Gummel: 1994 Phil Kaufman Award Honoree. Electronic Design Automation Companies (EDAC). 1994-11-09. （原始內容存檔於2011-07-26）.