洪朝生(1920年10月10日—2018年8月19日),男,北京人,中國物理學家,中國科學院理化技術研究所研究員。中國低溫物理超導和低溫工程研究的開拓者和奠基人之一。[1]

生平

1940年畢業於清華大學電機工程系。1945年遠赴美國留學,1948年獲美國麻省理工學院理學博士學位。後於美國普渡大學及荷蘭萊頓大學卡莫林·昂納斯實驗室工作。

1951年回國,時任中國科學院應用物理所副研究員、研究員,並兼任清華大學、北京大學、中國科學技術大學物理系教授一職,1978年榮任中國科學院物理研究所副所長,1982年榮任中國科學院低溫技術實驗中心主任。1980年當選為中國科學院學部委員(院士)。

榮譽

  • 1950年,於半導體鍺單晶輸運現象實驗中,發現雜質能級上的導電現象,並提出半導體禁帶中雜質導電概念,此現象被半導體物理界稱之為「洪朝生效應」。亦間接促進爾後「無序系統電子輸運現象」實驗研究的開端。
  • 1953年,於中國科學院物理研究所組建國內第一所低溫實驗室,主持研製低溫研究設備。陸續發現氫、氦的液化及相關技術的推廣。
  • 1970年,領導低溫科研隊伍,完成大型空間模擬系統KM3與KM4低溫氦製冷系統的研製任務。為衛星升空的環境模擬出試驗要件。
  • 1985年,KM4大型航天環境模擬設備的研製,榮獲「國家科技進步一等獎」。
  • 1989年,榮獲中國物理學會胡剛復物理獎
  • 2000年,榮獲國際低溫工程理事會門德爾松獎。
  • 2011年,榮獲美國低溫工程和低溫材料大會賽謬爾·柯林斯獎。

參考文獻

  1. ^ 中国科学院理化技术研究所:洪朝生 (PDF). [2021-08-29]. (原始內容存檔 (PDF)於2021-08-29). 

外部連結