討論:閃存
由Hzt0208042508415531 tw在話題請求與快閃記憶體轉換層合併上作出的最新留言：2 年前
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NVRAM
閃存(Flash)在英文版中被歸類為非易失性隨機存取存儲器（NVRAM，中文似乎沒有此頁），而在中文版中被歸類為電子抹除式可複寫只讀存儲器（EEPROM），哪個正確？ -Kovl（留言） 2013年8月28日 (三) 03:14 (UTC)
- 見仁見智，同樣是非揮發性記憶體(NVM)，不過目前快閃記憶體(flash memory)的規模(如市場、種類、應用……等)應已足夠的多與大到可以自成一類, 歸類於EEPROM可能就是10年前的分類法。Ccwesley（留言） 2013年8月28日 (三) 06:21 (UTC)
- 閃存、EEPROM和EPROM均屬於浮柵電晶體存儲器，利用浮柵拘束電子來保存數據，不同點主要在於擦除方式。EPROM使用紫外線擦除，EEPROM改由電子方式擦除，而Flash則進一步改變了擦除的單位和範圍。所以這幾種分類應該都是正確的。--Aixiangsui（留言） 2013年11月12日 (二) 13:39 (UTC)
外部連結已修改
各位維基人：
我剛剛修改了閃存中的1個外部連結，請大家仔細檢查我的編輯。如果您有疑問，或者需要讓機械人忽略某個連結甚至整個頁面，請訪問這個簡單的FAQ獲取更多信息。我進行了以下修改：
- 向 http://press.dramexchange.com/en/node/151 加入
{{dead link}}標記 - 向 http://press.dramexchange.com/en/node/150 加入
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有關機械人修正錯誤的詳情請參閱FAQ。
外部連結已修改
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- 向 http://www.usb-drive-china.com/ 中加入存檔連結 https://web.archive.org/web/20141218084446/http://usb-drive-china.com/
有關機械人修正錯誤的詳情請參閱FAQ。
請求與快閃記憶體轉換層合併
2013-7-1DreaMQ的合併請求 死灰（留言） 2022年5月27日 (五) 04:38 (UTC)
沒有必要。該條目篇幅足夠大。 Hzt0208042508415531 tw（留言） 2022年6月21日 (二) 04:25 (UTC)