鐵電隨機存取記憶體
此條目沒有列出任何參考或來源。 (2013年6月25日) |
鐵電隨機存取記憶體(英語:Ferroelectric RAM,縮寫為FeRAM或FRAM),類似於SDRAM,是一種隨機存取記憶體技術。但因為它使用了一層有鐵電性的材料,取代原有的介電質,使得它也擁有非揮發性記憶體的功能。麻省理工大學達德利·艾倫·巴克(Dudley Allen Buck)在1952年提出的碩士論文中,首次提出了這個概念。它有比快閃記憶體更低的耗電量,還有更高的寫入速度,還有更長的讀寫壽命(大約10¹⁰到10¹⁵次迴圈)。它在+85℃時可以儲存資料十年以上。但是它的缺點是比快閃記憶體儲存密度低,儲存容量限制,和更高的價格。與DRAM相比,鐵電隨機存取器的讀操作是破壞性的,因為它需要遵循先寫後讀架構;若比較舊製程的產品,其密度及速度與相同製程的DRAM接近,但不知道是否能使用與DRAM一樣先進的製程製造。相較於MRAM,鐵電隨機存取記憶體可以在強大許多的磁場下正常使用。
這是一篇與電腦儲存裝置相關的小作品。您可以透過編輯或修訂擴充其內容。 |