氮化鋁銦鎵
氮化鋁銦鎵（AlGaInN）是以氮化鎵為基礎的化合物半導體，是氮化鎵、氮化鋁、氮化銦的混合物，常用磊晶成長的方式製成，像是有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脈衝激光沉積（PLD）等方式[來源請求]。此材料用在特別的光電應用中，像是藍光雷射LED及藍光LED等。透過調整鋁、銦、鎵的比例，可以調整其能隙等參數。
| 氮化鋁銦鎵 | |
|---|---|
| 性質 | |
| 化學式 | AlxGayInzN（0<x,y,z<1） |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
安全性和毒性
有關氮化鋁銦鎵的毒性目前尚未完全研究。其粉末會刺激皮膚、眼睛和肺部。有關氮化鋁銦鎵製備原料（像三甲基銦、三甲基鎵和氨）的環境、健康及安全議題以及標準有機金屬化學氣相沉積法來源的工業衛生監控，目前已有文獻回顧[1]。
相關條目
參考資料
- ^ D V Shenai-Khatkhate; R Goyette; R L DiCarlo; G Dripps. Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. Journal of Crystal Growth. 2004, 1–4 (1–4): 816–821. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
外部連結
- E. Fred Schubert. Light-Emitting Diodes. Cambridge University Press. 2012-09-05 [2024-12-05]. ISBN 9780511790546.（13 - The AlGaInN material system and ultraviolet emitters）