氮化铝铟镓
氮化铝铟镓（AlGaInN）是以氮化镓为基础的化合物半导体，是氮化镓、氮化铝、氮化铟的混合物，常用磊晶成长的方式制成，像是有机金属化学气相沉积法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）等方式[来源请求]。此材料用在特别的光电应用中，像是蓝光激光LED及蓝光LED等。透过调整铝、铟、镓的比例，可以调整其能隙等参数。
| 氮化铝铟镓 | |
|---|---|
| 性质 | |
| 化学式 | AlxGayInzN（0<x,y,z<1） |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
安全性和毒性
有关氮化铝铟镓的毒性目前尚未完全研究。其粉末会刺激皮肤、眼睛和肺部。有关氮化铝铟镓制备原料（像三甲基铟、三甲基镓和氨）的环境、健康及安全议题以及标准有机金属化学气相沉积法来源的工业卫生监控，目前已有文献回顾[1]。
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参考资料
- ^ D V Shenai-Khatkhate; R Goyette; R L DiCarlo; G Dripps. Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. Journal of Crystal Growth. 2004, 1–4 (1–4): 816–821. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
外部链接
- E. Fred Schubert. Light-Emitting Diodes. Cambridge University Press. 2012-09-05 [2024-12-05]. ISBN 9780511790546.（13 - The AlGaInN material system and ultraviolet emitters）